[发明专利]一种新型数字门集成电路的结构在审
| 申请号： | 201911306273.8 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111048579A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;李平;唐瑞枫;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/22;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种新型数字门集成电路的结构，涉及半导体器件及集成电路技术领域。本发明的一种新型数字门集成电路的结构为纵向N型或P型TMOS，在纵向上分别设置有源极区域、半导体沟道区域以及漏极区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极区域可通过引线孔从外侧引出。可用此基本单元构成与门、与非门、或非门。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型数字门集成电路的结构，该结构的栅极环绕器件体区，当栅极加上合适的偏置时，会形成四面沟道，加大了栅控能力，提高了导通时的电流密度。且新结构的沟道区不由光刻工艺完成，沟道长度不再受到光刻精度的限制。同时，通过采用窄禁带材料做源区并在漏区前端加入N‑漂移区结构，实现器件的小面积、大电流、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 数字 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
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