[发明专利]一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法在审

专利信息
申请号: 201911306411.2 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111085497A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 肖真方 申请(专利权)人: 武汉百臻半导体科技有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/08;B08B3/02;B08B3/14;B08B13/00;F26B21/00;H01L21/02;H01L21/67
代理公司: 湖北天领艾匹律师事务所 42252 代理人: 程明
地址: 430000 湖北省武汉市中国(湖北)自*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法,包括多晶硅片清洗调控系统,所述多晶硅片清洗调控系统的输入端与电源模块的输出端电性连接,所述多晶硅片清洗调控系统与网络数据库实现双向连接,多晶硅片自动上料设备的输出端与物料全面扫描检验设备的输入端电性连接,物料全面扫描检验设备的输出端与去离子水加载设备的输入端电性连接,本发明涉及硅片清洗技术领域。该多晶硅片清洗系统及其清洗方法,通过清洗快速烘干系统中废液排放设备、净化烘干设备、整体冷却维护设备和清洁抽风维护设备的联合设置,使得多晶硅在被第一次清洗后,可以有效的被洁净空气烘干,并且多晶硅被及时冷却,有效的保证了多晶硅状态的稳定性。
搜索关键词: 一种 多晶 硅片 清洗 系统 及其 方法
【主权项】:
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