[发明专利]一种制备具有高次级发射性能的氧化镁基薄膜的设备和方法在审
| 申请号： | 201911307889.7 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110904410A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 周帆;梁轩铭;王金淑;邓琦键;王蕊;杨韵斐;杨灏天;李菲祺 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备具有高次级发射性能的氧化镁基薄膜的设备和方法，该设备包括热蒸镀真空室以及安装在真空室内的热蒸镀源物质、钨舟和基底材料，还包括真空管式炉以及配套的气体流量控制器、微调针型阀和氧气。经过热蒸镀在基底材料表面沉积金属或合金薄膜，之后在真空管式炉中通以微量氧气，维持管内真空在5～100Pa，温度400～650℃，进行热活化处理，从而获得次级发射系数高且发射稳定的氧化镁基薄膜，薄膜厚度约为100nm～1μm。此方法工艺简单，薄膜结构、成分可调，次级发射性能稳定，不需要使用昂贵的离子源或电子枪，有望开发应用于光电倍管、图像增强器、等离子平板显示器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 次级 发射 性能 氧化镁 薄膜 设备 方法 | ||
【主权项】：
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