[发明专利]一种实现p型栅增强型HEMT器件的方法在审
| 申请号： | 201911308180.9 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081545A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强;孙佩椰;万利军;阙显沣;姚书南;梁敬晗 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现p型栅增强型HEMT器件的方法，包括S1在衬底上依次外延GaN沟道层、AlGaN势垒层及p型氮化物层；S2在p型氮化物层上进行光刻，暴露出源金属电极和漏极金属电极区域区域，进行刻蚀处理后，通过蒸镀、剥离和退火形成源金属电极和漏金属电极；S3进行台面隔离，然后通过光刻、蒸镀、剥离，形成栅金属电极；S4将源金属电极、漏金属电极及栅金属电极分别通过导线与半导体分析仪连接；S5将S4连接完成的外延片放置在感应耦合等离子体刻蚀腔内，进行刻蚀工艺，当半导体分析仪显示的源漏输出电流最大时，工艺停止。本发明避免造成器件损伤，对于实现具有高饱和输出电流密度的增强型器件具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 增强 hemt 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
