[发明专利]一种电流旁路结构及IGBT器件在审
| 申请号： | 201911309383.X | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112992866A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 董国忠;李寒;石廷昌;常桂钦;李亮星;邵钰;彭勇殿 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电流旁路结构，包括：插接式电极片，其包括底座和位于所述底座端部的接触片；以及带有插头的顶板，所述顶板设置在所述底座的上方，且所述插头插入所述接触片中并与所述接触片的内壁相接触。通过插接式电极片与插头相互配合，增强了大电流下电流旁路的可靠性；并且引入的集成式电流旁路，解决了独立电流失效后对应芯片不参与工作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 旁路 结构 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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