[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201911310548.5 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112993021B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 魏家行;王琪朝;肖魁;王德进;卢丽;杨玲;叶然;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
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