[发明专利]利用磁力对细胞施加应力/应变梯度场的动态培养装置在审
| 申请号： | 201911313609.3 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112391287A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;万芷翎;张春秋 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C12M3/00 | 分类号： | C12M3/00;C12M1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用磁力对细胞施加应力/应变梯度场的动态培养装置，本发明的组成部分有：底座、立柱支架，支撑培养腔；培养腔，作为细胞的培养场所；硅胶培养基底，内部包含磁珠，提供给细胞生长场所以及外力加载，通过螺纹与培养腔连接保证较好的密封性；通电螺线管，提供给硅胶基底内部磁珠磁力从而给基底加载张力；蠕动泵，使得细胞培养液在培养装置中循环；培养液收集腔，细胞培养液的中间循环过程中的环节；培养液输送管，在各部分之间输送细胞培养液。本发明的有益效果是：开发了一种外力加载形式简单、安全方面的细胞动态培养装置，解决了在特定的力学环境中对于细胞的培养以及观察。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁力 细胞 施加 应力 应变 梯度 动态 培养 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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