[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201911315353.X | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111146339B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;冯高明;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器单元，自下而上包括：底电极，加热电极，相变单元和顶电极，相变单元为纵向设置的柱体结构，其由内而外包括：柱形选择器件层，环形阻挡层和环形相变材料层；其中，底电极和加热电极为多个，且一一对应，底电极、加热电极与相变材料层依次连接，选择器件层连接顶电极。本发明通过将相变单元与多个加热电极组合在一起，形成多个相变电阻共用一个选择器件的结构，并且不同的相变电阻通过各自的加热电极可以连接位于不同金属互连层的底电极，因此不会增加芯片水平方面的面积，从而实现高密度存储，且相变材料和加热电极厚度很薄，能有效降低器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911315353.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种滴丸的储备方法
- 下一篇：一种相变存储器单元及其制备方法
