[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201911315361.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111146340B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;李铭;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器单元，自下而上包括：底电极，加热电极，相变单元和顶电极，相变单元为纵向设置的柱体，其由内而外包括：柱形选择器件层，环形阻挡层和环形相变材料层，底电极为一个，底电极与加热电极和相变材料层依次连接，选择器件层连接顶电极。本发明通过凹槽侧壁沉积或通孔填充方式制备具有环形嵌套结构的柱形相变单元，不会对相变材料的操作关键区域即相变材料与加热电极的接触区域产生损伤，可提高器件的可靠性，并使得相变区域仅为加热电极上方的部分相变材料发生相变，可大幅减小相变操作区域体积和所需热能，形成的加热电极厚度更薄，产生的电流密度更高，使加热效率得到明显提高，从而显著降低了器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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