[发明专利]一种基于FDSOI器件背栅结构的静态随机存取存储器在审
| 申请号： | 201911315992.6 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111145810A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵彤;王昌锋;田明;孙亚宾;李小进;石艳玲;廖端泉;曹永峰 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于FDSOI器件背栅结构的静态随机存取存储器（SRAM），该新型静态随机存取存储器上所有的晶体管为FDSOI器件，器件的背栅与字线WL相连。在SRAM进行读写操作时，字线为高电平，使得PMOS阈值电压增大，NMOS阈值电压减小，从而加强了SRAM的写入能力，提高了读取电流；在保持状态下，字线WL为低电平，本发明的SRAM上的器件阈值电压与传统FDSOI SRAM上器件的阈值电压并无差异，因此静态功耗不变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fdsoi 器件 结构 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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