[发明专利]晶圆处理方法及装置在审
| 申请号： | 201911316365.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111074352A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 董博轩 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06;C25D7/12;G01N27/42;G01N1/32;G01N1/34;G01N1/44 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆处理方法及装置，属于半导体技术领域。晶圆处理方法，包括：将表面形成有绝缘膜的晶圆置于电解液中作为电解阴极，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除；将铜板置于所述电解液中作为电解阳极；向所述电解阳极和所述电解阴极施加脉冲电信号，铜离子在所述晶圆的COP缺陷处还原为铜，根据还原出的铜检测所述晶圆表面的COP缺陷。本发明能够准确高效地确定COP缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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