[发明专利]用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911316635.1 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113005412A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王伟;赵晓霞;宫元波;周永谋;田宏波;李洋;宗军 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;H01L31/0445;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法。该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅异质结 电池 ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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