[发明专利]钛酸钡基高储能密度电子陶瓷及其制备方法

摘要

本发明涉及钛酸钡基高储能密度电子陶瓷及其制备方法，步骤包括：将Sr2+,Bi3+,Mg2+,Nb5+离子掺杂进入钛酸钡陶瓷中，形成(1‑x)Ba(1‑y)SryTiO3‑xBi(Mg2/3Nb1/3)03的化学组成，使其处于交叉区域内；对步骤一得到的配方组分进行化学比例的计算，称量高纯的BaCO3、SrCO3、Bi2O3、MgO、TiO2及Nb2O5粉末，经球磨烘干、预烧结、压片、烧结，制得钛酸钡基高储能密度电子陶瓷。本发明在组分设计过程中引入电畴工程以及朗道自由能计算等，巧妙的找出交叉区域，固相法制备得到的陶瓷能量存储性能较现有产品有大幅提升，工艺流程简单，制备的样品晶粒大小均匀，化学均匀性以及电学均匀性高，展现出高的能量存储密度和效率。