[发明专利]制造包括多个二极管的光电装置的方法在审
| 申请号： | 201911317363.7 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111341802A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 佩林·巴图德;休伯特·博诺 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本说明涉及一种制造光电装置的方法，包括步骤：a)提供有源二极管叠层(100)，其包括第一导电类型的第一掺杂半导体层(103)和第二导电类型的第二掺杂半导体层(107)，对所述第一层的上表面进行涂敷；b)在所述有源叠层(100)的上表面上布置第三半导体层(115)；c)在步骤b)之后，在所述第三半导体层(115)的内部和顶部形成至少一个MOS晶体管；以及d)在步骤b)之后，在步骤c)之前或之后，形成从所述第三层(115)的上表面垂直延伸并露出在所述第一层(103)的上表面中或上的、并且界定了多个像素的沟槽(130)，每个像素包括二极管和基本二极管控制单元。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 二极管 光电 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
