[发明专利]一种MOSFET BISM4模型参数提取方法有效
| 申请号： | 201911317725.2 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111104769B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 傅飞;刘伟平 | 申请（专利权）人： | 南京华大九天科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MOSFET BISM4模型参数提取方法，包括以下步骤：1）设计测试单元结构和去嵌结构；2）测量所述测试单元结构和所述去嵌结构的电容‑电压特性曲线；3）将测量数据导入参数提取工具，提取沟道宽度方向电容补偿系数。本发明的MOSFET BISM4模型参数提取方法，能够精确提取沟道宽度方向电容补偿系数，提高电路电容‑电压仿真准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet bism4 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
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