[发明专利]一种零偏压工作石墨烯光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911317964.8 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110957396B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 申钧;高恺聪;杨旗;韩钦;冯双龙;周大华;魏兴战;史浩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人： | 黎昌莉 |
| 地址： | 400714 重庆市北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明一种零偏压工作石墨烯光电器件及其制备方法，包括以下步骤：（1）利用化学气相沉积法生长制备石墨烯薄膜；（2）转移所述石墨烯薄膜至预先制备的氧化衬底表面；（3）在所述石墨烯薄膜表面图案化形成石墨烯条带结构；（4）在所述石墨烯条带结构的两端沉积金属形成两个金属电极；（5）在所述石墨烯条带结构表面进行量子点图案化。通过此制备方法得到的一种能在没有外接偏压下工作的石墨烯光电器件，有效避免石墨烯光电器件在偏压下工作时会产生极大的暗电流，影响器件的寿命和测量精度的问题，通过将量子点精确的覆盖在我们想要的区域，工艺流程简单，与半导体微纳技术紧密结合，具有很强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏压 工作 石墨 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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