[发明专利]一种纳米烧结铜与晶圆结合的制备方法及其连接结构有效
| 申请号： | 201911318075.3 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111146076B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张卫红;唐宏浩;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市西*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种纳米烧结铜与晶圆结合的制备方法及其连接结构。将晶圆背面金属镀铝替代镀其他金属金、银、或铜等，采用磁控溅射等方法制备纳米铝晶薄膜；在纳米烧结铜与纳米铝晶薄膜接触时，有氧原子或氧离子处理活化界面。这种材料设计和工艺方法是利用纳米尺度材料特性及铜与氧化铝界面的特殊反应现象，达到在低温下同时完成铜本身的烧结连接及其与晶圆或芯片界面的结合；既节约成本又可获得良好的铜烧结效果，并且，可以一定程度地提升纳米烧结铜与晶圆界面的结合力及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 烧结 结合 制备 方法 及其 连接 结构 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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