[发明专利]一种去除光刻胶残留物的清洗液在审
| 申请号： | 201911319064.7 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113009793A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 孙广胜;刘兵;彭洪修;周前付;徐海玉 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;王芳 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除光刻胶残留物的清洗液，包含：季胺氢氧化物、醇胺、水、消泡剂、以及有机溶剂。本申请的清洗液加入消泡剂后既可以高效去除晶圆上的光刻胶残留物，也可以对铜、铝等金属基本无腐蚀，而且基本不会起泡，又能延长清洗液的使用寿命。在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 光刻 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
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