[发明专利]一种陶瓷基板覆铜及高功率电子芯片全铜互联封装方案有效
| 申请号： | 201911319598.X | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111092049B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张卫红;黄显机;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/48;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种陶瓷基板覆铜及高功率电子芯片全铜互联封装方案，具体步骤包括：S1陶瓷基板表面沉积铜层作为粘接层；S2在所述粘结层表面涂敷纳米铜交联剂，印刷包括陶瓷基板、粘接层、纳米铜交联剂的电路，并烘烤制备预制件；S3在所述预制件上，安装背部镀铜的芯片；S4在所述芯片的金属焊盘上放置纳米铜交联剂连接铜夹；S5整体烧结所述预制件、芯片、纳米铜交联剂连接铜夹，完成芯片与基板的稳固连接，本专利中的封装新设计可以解决陶瓷覆铜困难的问题，简化了基板和封装的制造工艺程序，并且大大减少了封装中的界面阻隔，提升了其工作的可靠性和满足大功率电子产品的大电流要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 基板覆铜 功率 电子 芯片 全铜互联 封装 方案 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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