[发明专利]具漏磁场平衡层的磁性隧道结单元及磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201911319947.8 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113013325B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/85 | 分类号： | H10N50/85;H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具漏磁场平衡层的磁性隧道结单元及磁性随机存储器，在磁性隧道结(MTJ)的覆盖层之上，设置一层具有强烈垂直各向异性的漏磁场平衡层(Stray Field Balance Layer，SFBL)来调控合成反铁磁层和参考层在自由层上的漏磁场，具有强烈垂直各向异性的漏磁场平衡层的磁性隧道结单元，相对于传统的单纯具有的合成反铁磁层的磁性隧道结单元，具有更强的漏磁场和写电流调控能力，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 平衡 磁性 隧道 单元 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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