[发明专利]一种SiC基InP光子集成模块及其制备方法有效
| 申请号： | 201911320620.2 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111146681B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;林家杰;沈正皓;金婷婷;游天桂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/026 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种SiC基InP光子集成模块的制备方法，包括以下步骤：获取单晶SiC衬底层；在单晶SiC衬底层上制备Fe掺杂的InP薄膜层，形成异质衬底；在异质衬底上采用异质外延生长方法依次层叠制备波导层和有源层；对有源层进行光栅刻蚀并在有源层上制备电极接触层；对波导层、有源层和电极接触层进行刻蚀，制备分布式反馈激光器，并制备放大器和调制器中的任意一种；采用选区外延方法在Fe掺杂的InP薄膜层上依次制备波导接触层和探测器结构；对探测器结构进行刻蚀，制备探测器。本申请实施例提供的SiC基InP光子集成模块的制备方法中，将InP与SiC基衬底结合，制备了低热阻，低失配的SiC基InP光子集成模块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic inp 光子 集成 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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