[发明专利]一种MEMS容栅式角位移传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201911323266.9 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111137838B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 周斌;侯波;邢博文;张嵘;魏琦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 孙楠 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS容栅式角位移传感器及其制造方法，其包括机械外壳、敏感结构和处理ASIC电路；所述机械外壳采用凹槽型结构，位于凹槽边缘处设置有阶梯状结构，用于嵌设所述敏感结构，所述敏感结构的背部设置有所述处理ASIC电路及对外连接的接口，在所述机械外壳的凹槽底部设置有用于连线通孔；所述敏感结构包括转子和定子；所述转子设置在所述定子的上部，且所述转子与所述定子敏感面正对，并具有距离。本发明实现微传感器的高度集成，同时达到低功耗小体积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 容栅式角 位移 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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