[发明专利]一种纳米颗粒聚集生长模拟过程特征数据的分析统计方法在审

专利信息
申请号: 201911323763.9 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111161805A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 王雪;王建伟;肖伟;施静敏;王立根;孙璐;崔建东 申请(专利权)人: 有研工程技术研究院有限公司;有研科技集团有限公司
主分类号: G16C10/00 分类号: G16C10/00;G16C60/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 陈波
地址: 101407 北京市怀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于纳米材料技术领域,尤其涉及一种纳米颗粒聚集生长模拟过程特征数据的分析统计方法,主要包括构建纳米颗粒单体模型,输出单体模型的结构信息,采用分子动力学方法模拟纳米颗粒的聚集生长过程;根据研究对象材料的晶体结构及晶格常数,计算截断距离rcutoff;通过截断距离rcutoff提取的聚集纳米颗粒数据信息,通过“三点确定一面”原则,获取聚集纳米颗粒的取向生长方式。本发明提供了一种高效精确的分析统计方法。
搜索关键词: 一种 纳米 颗粒 聚集 生长 模拟 过程 特征 数据 分析 统计 方法
【主权项】:
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