[发明专利]在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构在审
| 申请号： | 201911324627.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128866A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构，该方法包括：在第一介质层中形成至少两个第一层铝引线；在第一介质层上形成第二介质层；打开至少两个第一层铝引线中的目标铝引线上方的第二介质层，形成第一沟槽；在第二介质层和第一沟槽表面形成电介质层；打开目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线上方的第二介质层和电介质层，使目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线暴露，形成至少两个第一通孔；在第一通孔和第一沟槽中填充金属后，对金属进行平坦化处理形成第二层接触通孔和金属层。由于在铝互连结构的中间层中形成的金属层‑电介质层‑目标铝引线构成的电容不需要额外的形成MIM电容上极板的工艺，提高了制造效率。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 集成 mim 电容 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
