[发明专利]MIM电容的制造方法以及包含MIM电容的器件有效
| 申请号： | 201911325339.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128867B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MIM电容的制造方法以及包含MIM电容的器件，该方法包括：打开至少三个第二层引线中的目标引线上的第三介质层，形成第一沟槽，第三介质层形成于第二介质层上，第二介质层形成于第一介质层上，第一介质层中形成有至少三个第一层引线，第二介质层中形成有至少三个第二层引线，每个第一层引线通过第二层通孔与其上方的第二层引线电连接，第二层通孔形成于第二介质层中；打开除目标引线以外的其它第二层引线上的第三介质层，形成至少两个第二沟槽；在电介质层、第一沟槽以及第二沟槽表面生成电介质层；去除第二沟槽表面的电介质层；在电介质层以及第二沟槽表面沉积金属层。本申请提供的MIM电容的制造方法提高了器件的制造效率。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 制造 方法 以及 包含 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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