[发明专利]改变光刻侧壁形貌的灰度掩模图形在审
申请号: | 201911325716.8 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111123641A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 张雪;王辉 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改变光刻侧壁形貌的灰度掩模图形,在掩膜版上形成用于光刻形成沟槽或者台阶的灰度掩膜图形,所述灰度掩膜图形在平面内具有互相垂直的第一方向及第二方向,在掩膜版上用于形成沟槽侧壁形貌的掩膜区域沿第二方向设置多行及多列的方形孔结构阵列,所述的方形孔结构阵列位于灰度掩膜版上形成沟槽的两侧壁区域;所述方形孔结构阵列中位于同一列上的方形孔具有相同的尺寸,位于不同列的方形孔具有不同的尺寸,且以沟槽中心向两侧方向上不同列的方形孔的尺寸逐渐缩小。本发明通过设置不同的方形孔尺寸,以及方形孔之间的行间距以及列间距,实现了形成不同角度沟槽侧壁的目的,且能通过不同参数使沟槽侧壁的形貌更加平整。 | ||
搜索关键词: | 改变 光刻 侧壁 形貌 灰度 图形 | ||
【主权项】:
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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