[发明专利]确定半导体晶圆边缘抛光形状的方法在审
| 申请号： | 201911325967.6 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110993537A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建铭;卢健平 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了确定半导体晶圆边缘抛光形状的方法，该方法包括：(1)通过激光显微系统，获得半导体晶圆的表面与边缘交界区的高度曲线；(2)根据高度曲线，获得高度曲线的第一切线和第二切线；(3)获得高度曲线、第一切线和第二切线限定出的区域面积At；(4)根据第一切点与第二切点的连线，获得高度曲线到连线的最大垂直距离H；(5)根据第一切线与第二切线的交点，获得第一长度与第二长度之比L1/Lr。本发明所提出的方法，通过激光显微系统测量交界区的高度变化，该交界区的测量范围为10～1000微米且测量高度的精确度能够达到1纳米，在精密测量到的高度曲线基础上计算出半导体晶圆的表面与边缘交界处的多种几何参数值，从而藉由这些参数对晶圆制造进行监控，进而提高芯片制造工艺的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 半导体 边缘 抛光 形状 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
