[发明专利]高响应PbSe/C60异质结光敏薄膜红外探测芯片及其制备方法、红外探测器

摘要

本发明公开了一种高响应PbSe/C60异质结光敏薄膜红外探测芯片及其制备方法、红外探测器，该芯片的制备包括以下步骤：在芯片衬底上制备缓冲层、C60薄膜、PbSe薄膜；对PbSe薄膜进行敏化处理；在PbSe薄膜和C60薄膜上制备电极。本发明制备方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，制得的红外探测芯片具有小尺寸、大阵列大规模、快速响应、高响应度、高灵敏度等优点，对于扩大红外探测器的应用范围具有十分重要的意义。本发明红外探测器以上述芯片为探测器的核心元件，可满足响应时间短、灵敏度高等要求，且制备过程简单，无需制冷；同时，通过设置参考探测器，可以提高检测灵敏度和检测可靠性。