[发明专利]一种存储器及其制造方法有效
申请号: | 201911326561.X | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN113013235B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 祝进专;李庆民;王梦慧 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/788;H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提出一种存储器及其制造方法,包括:衬底;控制栅层,位于所述衬底上;凹形区域,与所述控制栅层相邻;浮栅结构,位于所述凹形区域的衬底上;源极,形成在所述衬底中,位于所述控制栅层远离所述凹形区域的一侧;漏极,形成在所述凹形区域的衬底中。本发明提出的存储器编程时间短。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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