[发明专利]一种通过端基修饰调控两性离子聚合物最高临界互溶温度的方法有效
| 申请号： | 201911327200.7 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111004344B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 冯岸超;李智;李昊;郝博韬;唐艺菁;张立群 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08F120/58 | 分类号： | C08F120/58;C08F2/38 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过端基修饰调控两性离子聚合物最高临界互溶温度的方法，通过功能性RAFT试剂聚合得到两性离子聚合物，端羧基聚合物的UCST可以通过pH调控；端酯基聚合物的UCST大幅提高。两性离子单体命名为3‑(2‑甲基丙烯酰氧乙基二甲胺基)丙磺酸盐(DMAPS)，其聚合物命名为PDMAPS,聚合物体系内DMAPS和RAFT试剂的摩尔比例为n：1(n＝80‑500)；ECT为端羧基RAFT试剂4‑氰基‑4‑(((乙硫基)硫代羰基)硫基)戊酸。该端基修饰方法解决了两性离子聚合物响应性单一，UCST难以提高的问题，有望被应用在水处理与药物载体等对pH环境较敏感的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 修饰 调控 两性 离子 聚合物 最高 临界 温度 方法 | ||
【主权项】：
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