[发明专利]集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201911327769.3 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN112510090A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李家庆;吴仲强;邱诗航;童宣瑜;李达元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一功函数层和第二功函数层，并且分别在第一器件区域和第二器件区域中沉积第一氟阻挡层和第二氟阻挡层。第一氟阻挡层位于第一功函数层上方，并且第二氟阻挡层位于第二功函数层上方。该方法还包括：去除第二氟阻挡层，以及在第一氟阻挡层上方形成第一金属填充层，并且在第二功函数层上方形成第二金属填充层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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