[发明专利]一种引入表面缺陷的三氧化二铋半导体光催化剂及其改性方法和应用在审
| 申请号： | 201911328219.3 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110975858A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 县涛;孙小锋;邸丽景;李红琴;周永杰 | 申请（专利权）人： | 青海师范大学 |
| 主分类号： | B01J23/18 | 分类号： | B01J23/18;B01J37/16;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马云华 |
| 地址： | 810008 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供了一种引入表面缺陷的三氧化二铋半导体光催化剂及其改性方法和应用，涉及光催化技术领域。本发明提供的改性方法，包括以下步骤：将三氧化二铋光催化剂和NaBH |
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| 搜索关键词： | 一种 引入 表面 缺陷 氧化 半导体 光催化剂 及其 改性 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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