[发明专利]一种预防静电损伤的光罩及预防光罩静电损伤的方法有效
申请号: | 201911329388.9 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN110928135B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 熊易斯 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 党蕾 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体的光刻工艺技术领域,尤其涉及一种预防静电损伤的光罩,光罩包括多个图形模块,用于对晶圆执行一光刻工艺,光罩还包括:至少利用一根导线将两个不同静电电位的图形模块连接,以使两个图形模块之间形成等电位。本发明技术方案的有益效果在于:本发明提供一种预防静电损伤的光罩,在光罩的多个图形模块之间设置一根导线,使得多个图形模块之间形成等电位,避免静电电荷的转移,可从源头上防止静电产生,既可以节省生产成本,也可以有效地防止静电损伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 预防 静电 损伤 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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