[发明专利]单晶硅生长用掺杂剂的控制方法、装置、设备及存储介质在审
| 申请号： | 201911329895.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111005064A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李博一;王慧智;罗向玉;冉瑞应;李迎春;周宏坤;杨东;金雪 | 申请（专利权）人： | 银川隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;G06N20/00 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自治区银*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅生长用掺杂剂的控制方法、装置、设备及存储介质，包括：在当前单晶硅制备完成后，获取当前的工艺参数，将当前的工艺参数输入预设模型中，确定掺杂剂的目标挥发比例；获取在当前单晶硅制备完成后的掺杂剂的理论剩余量；根据理论剩余量和目标挥发比例，确定掺杂剂的实际剩余量；获取下次单晶硅生长用掺杂剂的理论需求量，并根据掺杂剂的实际剩余量和下次单晶硅生长用掺杂剂的理论需求量，控制下次单晶硅生长用掺杂剂的实际需求量。本发明实施例通过采用预设模型，能够准确获取当前单晶硅在拉至完成后至下次填料过程中掺杂剂的挥发比例，进而更好的控制下次填料的掺杂剂的量，使得生长的下次单晶硅的电阻率符合预设的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 掺杂 控制 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于银川隆基硅材料有限公司，未经银川隆基硅材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911329895.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
