[发明专利]一种多种检测功能的RIE半导体材料刻蚀装置在审
| 申请号： | 201911333786.8 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110931399A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;李瑞;东芳;王诗兆;阳学进;韩旭 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 许莲英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种多种检测功能的RIE半导体材料刻蚀装置，包括：RIE半导体材料刻蚀腔体、气体流量计、质谱‑光谱联用仪、RHEED、原子力显微镜、气体压强计、温度测试仪、翘曲测试仪、X射线衍射仪、射频电源、真空泵、采集板卡、电脑终端。其将光谱检测、质谱检测、XRD检测、原子力显微镜检测、温度、应力、气体流量和压强检测集成于RIE半导体材料刻蚀系统中，提供了一种具备气态/固态/粒子态/等离子态的多维度质量检测功能的反应离子刻蚀原位在线检测系统。该装置测量手段基本实现了覆盖元素、晶格、物质等与缺陷直接相关的信息的监测以及薄膜表面粗糙度、刻蚀深度、深宽比等薄膜信息的检测，实现了低损伤高性能的材料刻蚀过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多种 检测 功能 rie 半导体材料 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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