[发明专利]电压基准产生电路在审

专利信息
申请号: 201911334086.0 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN113093854A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 朱乐永 申请(专利权)人: 上海芯圣电子股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201616 上海市松江*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路,属于电路设计领域。本发明包括Trim电路和n个串联连接NMOS管,Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比,使在设定温度点时为0,第1个NMOS管的源极接地,第n个NMOS管的漏极输入基准电流,第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF,T表示温度,VGS表示NMOS管的栅源之间的电压,n为大于2的正整数。本发明还可以根据室温,确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比,进而省略了Trim电路,在常用室温时使用。
搜索关键词: 电压 基准 产生 电路
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯圣电子股份有限公司,未经上海芯圣电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911334086.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top