[发明专利]半导体器件及用于生产半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201911334259.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111446237A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 古拉布·萨布依;陈宇鹏;U·夏尔马 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 马芬;王琳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及用于生产半导体器件的方法。在总体方面，半导体器件可包括第一导电类型的重掺杂衬底、设置在重掺杂衬底上的第二导电类型的轻掺杂外延层，以及设置在轻掺杂外延层上的第二导电类型的重掺杂外延层。重掺杂外延层可具有大于轻掺杂外延层的掺杂浓度的掺杂浓度。重掺杂衬底的至少一部分可包括在齐纳二极管的第一端子中，并且轻掺杂外延层的至少一部分和重掺杂外延层的至少一部分可包括在齐纳二极管的第二端子中。半导体器件还可包括端接沟槽，该端接沟槽延伸穿过重掺杂外延层和轻掺杂外延层，并且终止于重掺杂衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911334259.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
