[发明专利]一种CMOS图像传感器结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器结构，设于上下堆叠的第一硅衬底和第二硅衬底上，第一硅衬底包括第一埋氧层和设于第一埋氧层下方的第一硅层，第二硅衬底包括第二埋氧层和设于第二埋氧层下方的第二硅层，第一硅层的厚度大于第二硅层的厚度，第一硅层与第二埋氧层相键合，对应像素单元阵列区域的第二硅衬底上形成有贯通开口，对应开口位置的第一硅层背面上设有像素单元阵列的多个感光部和控制晶体管，开口周围的第二硅层背面上设有外围电路晶体管。本发明可在外围电路使用低功耗SOI器件的同时，实现背照式图像传感器像素单元的制造，并可避免常规背照式工艺容易造成杂质自掺杂和减薄后厚度均匀性较差的问题。