[发明专利]一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法有效
| 申请号： | 201911334323.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111129053B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素单元结构，设于上下堆叠的上层硅衬底和下层硅衬底上；所述上层硅衬底上设有上层光电二极管，所述下层硅衬底上设有下层光电二极管，所述上层光电二极管与所述下层光电二极管上下对应，且其之间设有光通道；其中，任意一对所述上层光电二极管和所述下层光电二极管分别接收的光信号，在进行光电转换后通过同一像素单元进行信号输出。本发明通过两片CMOS图像传感器芯片的混合键合，实现了上下像素单元之间的互连，从而可以利用位于下层的光电二极管对近红外入射光线的收集，提高像素单元的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 像素 单元 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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