[发明专利]基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911334325.2 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110993762B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陶涛;王轩;许非凡;刘斌;智婷;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/06;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro‑LED阵列器件，刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构，p型阵列电极，蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上，n型阵列电极，蒸镀在n型GaN层上，且n型阵列电极形成挡墙，将各扇形台面相互隔离。并公开了其制备方法。本发明通过在Micro‑LED扇形台面阵列的发光单元之间增设n型电极所做的挡墙，挡墙宽度仅为6‑10μm，在不显著增加器件尺寸的前提下，有效解决了器件各发光单元之间相互串扰的问题，有利于实现单独控制；利用n型电极金属做挡墙以及采用网状结构的p型电极，增加了电流扩展范围，有效提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 iii 氮化物 半导体 micro led 阵列 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911334325.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于深水高压环境的水气分离装置
- 下一篇：一种土壤样品检测用预处理装置
