[发明专利]单晶炉及单晶硅制备方法在审
| 申请号： | 201911335647.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110983429A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 蒲以松;惠聪 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单晶炉及单晶硅制备方法，属于半导体技术领域。单晶炉，包括：炉体；位于所述炉体内的石墨坩埚；位于所述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用于盛装待熔化的多硅晶料；与所述炉体同轴、圆筒状的侧石墨加热器，套设在所述石墨坩埚外侧；设置在所述石墨坩埚底部的下石墨加热器；位于所述石英坩埚上方的导流筒；位于所述石英坩埚和所述导流筒之间的上加热器；位于所述导流筒的上端外侧、且位于所述侧石墨加热器上方的上保温罩；设置在所述上保温罩上方的保温盖；设置在所述保温盖与所述炉体的内壁接触位置处的圆形环状石墨件。本发明能够提供均匀可控的热环境，加快传热效率，提高单晶硅棒的产率，保证所拉制单晶硅棒的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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