[发明专利]芯片封装结构的形成方法在审

专利信息
申请号: 201911336282.1 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN111354690A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 黄冠育;黄松辉;侯上勇 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 傅磊;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 提供一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成凸块与虚设凸块。虚设凸块靠近第一基底的第一角落,且虚设凸块较凸块宽。此方法包含经由凸块将第一基底接合至第二基底。虚设凸块与芯片以及第二基底电气绝缘。此方法包含于第一基底与第二基底之间形成保护层。保护层围绕虚设凸块与凸块,且保护层位于虚设凸块与第二基底之间。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 形成 方法
【主权项】:
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