[发明专利]一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911336526.6 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111048636A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 孙智江;王书昶;冯源;穆久涛;张哲 | 申请（专利权）人： | 江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 徐文;万小侠 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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