[发明专利]一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法及结构在审

专利信息
申请号: 201911336850.8 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN111162167A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 康利民;王一如;殷江;夏奕东 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法,在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源与漏电极的有机场效应晶体管器件中,聚合物介质和并五苯之间设置一n‑型半导体薄膜过渡层;n‑型半导体过渡层厚度为1‑100nm;通过n‑型半导体过渡层中界面处的感生电子降低并五苯与电荷俘获介质界面处的空穴势垒高度,有效降低并五苯有机半导体晶体管的编程/擦除工作电压;通过有机半导体过渡层中电离施主所形成的带正电的空间电荷区阻碍聚合物介质薄膜中被俘获的正电荷(空穴)逃逸到并五苯薄膜中,提高并五苯有机半导体晶体管器件的编程/擦除可靠性及数据保持能力,提升并五苯有机场效应晶体管工作性能。
搜索关键词: 一种 提升 有机 场效应 晶体管 工作 性能 方法 结构
【主权项】:
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