[发明专利]一种ZnO薄膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911337264.5 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111118450A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 石梦;毛海央;陈贵东;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡物联网创新中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;B05D7/24;C09D179/08;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 寇海侠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种ZnO薄膜结构，包括，衬底，设置在衬底上的纳米森林以及沉积在纳米森林上的ZnO层。本发明还公开了上述ZnO薄膜的制备方法，首先选取衬底，在衬底上涂覆聚合物层，然后形成纳米森林结构，最后在所述纳米森林结构上沉积ZnO层。本发明提供的ZnO薄膜结构，和传统的ZnO薄膜相比，减少原料，降低成本，同时具备纳米森林本身高孔隙度、大比表面积的特点。本发明提供的ZnO薄膜结构的制备方法将磁控溅射法与纳米森林制备工艺相结合，可以通过参数控制，调整ZnO薄膜结构中的薄膜厚度、形貌、生长方向和密度，工艺简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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