[发明专利]一种高灵敏度的X射线探测器有效
| 申请号： | 201911337690.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111081809B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈军;张志鹏;邓少芝;许宁生;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高灵敏度的X射线探测器，包括X射线探测元器件和冷阴极真空二极管，所述X射线探测元器件包括所述光电导体，制备在所述光电导体两侧的第一阳极电极和第一阴极电极，所述光电导体的厚度为0.1～5000μm，所述X射线探测元器件与所述冷阴极真空二极管串联。本发明将光电导体设置在X射线探测元器件上，避免冷阴极发射体发射的电子直接轰击光电导体，从而提高X射线探测器的工作电压和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 射线 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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