[发明专利]用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及方法在审
| 申请号： | 201911338331.5 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111029330A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张飞虎;陆梅君;刘慧斌;杨慎知 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01B7/16 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供应用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构，并基于该测试结构提供一种测试方法，用于检测FinFET工艺特点所导致边缘鳍的弯曲问题；用于FinFET工艺中探测边缘鳍形变的测试结构，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围在3－1000根之间，鳍的宽度在1－50nm之间，鳍长度在0.1－1000um之间，相邻鳍之间的距离在1－100nm之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 工艺 检测 边缘 形变 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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