[发明专利]一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法

摘要

本发明属于太阳电池领域，公开了一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法。所述太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、GaAs外延层、第一石墨烯层、Au纳米颗粒层、第二石墨烯层，InGaN纳米柱阵列层、第三石墨烯层、Al2O3减反射层及在外围设置Au顶电极与第三石墨烯层接触。本发明利用能够发生等离激元效应的Au纳米颗粒层/Graphene复合表面作为子结结合结构，既提高整体光利用率，也实现了极高导电的子结间界面，从而提高GaAs太阳电池的转化效率。