[发明专利]一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201911338917.1 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111081800A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强;张志杰;刘兴江;高鹏;余粤锋;林静 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/0735;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池，其结构由下至上依次为的Au背电极、GaAs衬底、CuSCN空穴传输层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池的制备方法。本发明的GaAs太阳电池，不仅制备工艺简单，电池制备成本较低，而且光电转换效率高，能长时间稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 cuscn 空穴 传输 gaas 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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