[发明专利]一种VDMOS Pbody注入阴影消除工艺在审
| 申请号： | 201911342096.9 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111048410A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王开军 | 申请（专利权）人： | 爱特微（张家港）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS Pbody注入阴影消除工艺，硅片处于高真空腔室中载片台上，竖直放置，束流相对于硅片成7°角注入硅片，作X方向扫描，同时载片台上下作Y方向运动，束流按照总剂量分成多个方向注入；本发明依旧采用了原注入条件的7°角注入，防止了沟道效应的发生，但是本发明将总剂量分成了4个方向注入，防止了阴影效应的产生，产品的良率从最初的95％提升到了98％，提升了3个百分点。提高Pbody结构的均匀性，稳定了开启电压，开启电压从最初的2.8‑3.2V波动范围，稳定到了2.9‑3.0之间波动；降低了MOS芯片的漏电，从最初的50nA降低到了10nA，从而提升成品硅片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos pbody 注入 阴影 消除 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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